IRF7521D1PBF备选型号: IRLML2246TRPBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- 20V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A MICRO 8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8Micro8™2.4A Ta-55°C~150°C TJTubeFETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C1.25W5.7 nsN-Channel135mOhm @ 1.7A, 4.5V700mV @ 250μA260pF @ 15V8nC @ 4.5V24ns20V±12V16 ns2.4A12V20V260pFSchottky Diode (Isolated)135mOhm135 mΩ无符合RoHS标准--------------------
- MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012活跃1 (Unlimited)--1.3W5.3 nsP-Channel135m Ω @ 2.6A, 4.5V1.1V @ 10μA220pF @ 16V2.9nC @ 4.5V7.7ns20V±12V16 ns2.6A12V-20V----无ROHS3 Compliant12 WeeksSILICONe33EAR99236MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFETSWITCHING-1.1V26 ns-1.1 V1.02mm3.04mm1.4mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | 对比 |
![]() | IRF7501TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 | 对比 |
![]() | DMP2225L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3 | 对比 |





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