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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.717322
500
¥0.527443
1000
¥0.439533
2000
¥0.403248
5000
¥0.376867
10000
¥0.350573
15000
¥0.339046
50000
¥0.333372
Diodes Incorporated DMP2225L-7
- 收藏
- 对比
DMP2225L-7
671-DMP2225L-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2225L-7详情
Diodes Incorporated DMP2225L-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.08W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.08W
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 2.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
250pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
2.6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
DS 击穿电压-最小值
20V
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2225L-7拓展信息
Diodes Incorporated
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