IRF7555TRPBF备选型号: IRF7504TRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    Micro8™
    4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    55mOhm
    150°C
    -55°C
    -20V
    1.25W
    -4.3A
    IRF7555PBF
    Dual
    1.25W
    10 ns
    1.25W
    2 P-Channel (Dual)
    55mOhm @ 4.3A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1066pF @ 10V
    15nC @ 5V
    46ns
    20V
    64 ns
    -4.3A
    12V
    -20V
    1.066nF
    逻辑电平门
    55mOhm
    55 mΩ
    860μm
    3mm
    3mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    -
    1.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    270mOhm
    -
    -
    -20V
    1.25W
    -1.7A
    IRF7504PBF
    Dual
    1.25W
    9.1 ns
    -
    2 P-Channel (Dual)
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    240pF @ 15V
    8.2nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    43 ns
    -1.7A
    12V
    -20V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    860μm
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    逻辑电平兼容
    鸥翼
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    -700mV
    9.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无SVHC
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