IRF7555TRPBF备选型号: IRF7504TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 附加功能
- 终端形式
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8Micro8™4.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005Obsolete1 (Unlimited)55mOhm150°C-55°C-20V1.25W-4.3AIRF7555PBFDual1.25W10 ns1.25W2 P-Channel (Dual)55mOhm @ 4.3A, 4.5V1.2V @ 250μA1066pF @ 10V15nC @ 5V46ns20V64 ns-4.3A12V-20V1.066nF逻辑电平门55mOhm55 mΩ860μm3mm3mm符合RoHS标准无铅--------------
- MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8-1.7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997不用于新设计2 (1 Year)270mOhm---20V1.25W-1.7AIRF7504PBFDual1.25W9.1 ns-2 P-Channel (Dual)270m Ω @ 1.2A, 4.5V700mV @ 250μA240pF @ 15V8.2nC @ 4.5V35ns20V43 ns-1.7A12V-20V-逻辑电平门--860μm3mm3mmROHS3 Compliant无铅12 WeeksTinSILICONe38逻辑电平兼容鸥翼增强型MOSFETSWITCHING-700mV9.6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7507TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | IRF7504TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | ZXM64P02XTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | 对比 |




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