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IRF7580MTRPBF备选型号: IRFH7085TRPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric ME10114A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single115W20 nsN-Channel3.6m Ω @ 70A, 10V3.7V @ 150μA6510pF @ 25V180nC @ 10V38ns60V±20V21 ns114A20VROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2008活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single156W13 nsN-Channel3.2m Ω @ 75A, 10V3.7V @ 150μA6460pF @ 25V165nC @ 10V25ns-±20V23 ns23A20VROHS3 Compliant无铅SILICON5DUAL无铅R-PDSO-N5增强型MOSFETDRAINSWITCHING3.7V0.0032Ohm60V590A554 mJ150°C950μm6.15mm5.15mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 对比 |
 | FDMS030N06B | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS030N06B | 对比 |
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