IRF7601TRPBF备选型号: IRF7555TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-812 Weeks表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8SILICON5.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997活跃1 (Unlimited)8EAR99超低电阻DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.8W5.1 nsN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 3.8A, 4.5V700mV @ 250μA650pF @ 15V22nC @ 4.5V47ns±12V32 ns5.7A12V0.035Ohm20V30A860μm3mm3mm无ROHS3 Compliant----------------
- MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8-表面贴装表面贴装8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)8-4.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005Obsolete1 (Unlimited)-------1.25W10 ns2 P-Channel (Dual)-55mOhm @ 4.3A, 4.5V1.2V @ 250μA1066pF @ 10V15nC @ 5V46ns-64 ns-4.3A12V--20V-860μm3mm3mm-符合RoHS标准Micro8™55mOhm150°C-55°C-20V1.25W-4.3AIRF7555PBFDual1.25W20V1.066nF逻辑电平门55mOhm55 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7555TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 | 对比 |
![]() | IRF7507TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 对比 |
![]() | IRF7607TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 | 对比 |



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