IRF7601TRPBF备选型号: IRF7607TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    5.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    超低电阻
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    5.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 3.8A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    650pF @ 15V
    22nC @ 4.5V
    47ns
    ±12V
    32 ns
    5.7A
    12V
    0.035Ohm
    20V
    30A
    860μm
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2001
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    -
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    1.8W
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    22nC @ 5V
    11ns
    ±12V
    16 ns
    6.5A
    12V
    0.03Ohm
    20V
    50A
    860μm
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    20V
    6.5A
    Single
    1.2V
    无SVHC
    含铅
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