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首页 全部分类 IRF7665S2TRPBF vs AUIRF7665S2TR

IRF7665S2TRPBF备选型号: AUIRF7665S2TR

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRF7665S2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SB
    3
    SILICON
    4.1A Ta 14.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    30W
    DRAIN
    3.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    62m Ω @ 8.9A, 10V
    5V @ 25μA
    515pF @ 25V
    13nC @ 10V
    6.4ns
    ±20V
    3.6 ns
    14.4A
    4V
    20V
    0.062Ohm
    100V
    58A
    4 V
    508μm
    4.826mm
    3.9624mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7665S2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SB
    3
    SILICON
    4.1A Ta 14.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    -
    增强型MOSFET
    2.4W
    DRAIN
    3.8 ns
    N-Channel
    AMPLIFIER
    62m Ω @ 8.9A, 10V
    5V @ 25μA
    515pF @ 25V
    13nC @ 10V
    6.4ns
    ±20V
    3.6 ns
    14.4A
    4V
    20V
    0.062Ohm
    100V
    58A
    -
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    Single
    77A
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