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IRF7700TRPBF备选型号: FDW2507N
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 功率 - 最大
- 阈值电压
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP表面贴装表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)88-TSSOP8.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CSingle1.5WP-Channel15mOhm @ 8.6A, 4.5V1.2V @ 250μA4300pF @ 15V89nC @ 5V40ns20V±12V130 ns-8.6A12V-20V4.3nF15 mΩ符合RoHS标准---------- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP表面贴装表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)88-TSSOP7.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-1.6W2 N-Channel (Dual)19mOhm @ 7.5A, 4.5V1.5V @ 250μA2152pF @ 10V28nC @ 4.5V13ns20V-13 ns7.5A12V20V2.152nF19 mΩ符合RoHS标准20V1.1W7.5A1.1W800mV逻辑电平门19mOhm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDW252P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP | 对比 |
| NTQD6968N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP | 对比 |
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