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首页 全部分类 IRF7700TRPBF vs NTQD6968N

IRF7700TRPBF备选型号: NTQD6968N

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7700TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    8-TSSOP
    8.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    1.5W
    P-Channel
    15mOhm @ 8.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    4300pF @ 15V
    89nC @ 5V
    40ns
    20V
    ±12V
    130 ns
    -8.6A
    12V
    -20V
    4.3nF
    15 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTQD6968N
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    1.81W
    2 N-Channel (Dual)
    22m Ω @ 7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    630pF @ 16V
    17nC @ 4.5V
    25ns
    -
    -
    25 ns
    6.2A
    12V
    20V
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    SILICON
    e0
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    逻辑电平兼容
    20V
    1.39W
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    7A
    未说明
    8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.03Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    含铅
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