注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.231696
10
¥16.256321
100
¥15.336148
500
¥14.46806
1000
¥13.649115
Infineon Technologies IRF7700TRPBF
- 收藏
- 对比
IRF7700TRPBF
1211-IRF7700TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF7700TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7700TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15mOhm @ 8.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
89nC @ 5V
上升时间
40ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
130 ns
连续放电电流(ID)
-8.6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
4.3nF
最大rds
15 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF7700TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。