IRF7700TRPBF
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Infineon Technologies IRF7700TRPBF

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型号

IRF7700TRPBF

utmel 编号

1211-IRF7700TRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP

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IRF7700TRPBF
IRF7700TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP

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IRF7700TRPBF详情

Infineon Technologies IRF7700TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-TSSOP

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8.6A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.5W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    1.5W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    15mOhm @ 8.6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4300pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    89nC @ 5V

  • 上升时间

    40ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    130 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -8.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 输入电容

    4.3nF

  • 最大rds

    15 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IRF7700TRPBF相似的参数规格。

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