您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF7749L2TRPBF vs NTMFS5C604NLT1G

IRF7749L2TRPBF备选型号: NTMFS5C604NLT1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7749L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    8
    SILICON
    IRF7749L2TRPBF
    33A Ta 375A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e1
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    锡银铜
    BOTTOM
    260
    30
    R-XBCC-N9
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 120A, 10V
    4V @ 250μA
    12320pF @ 25V
    300nC @ 10V
    43ns
    ±20V
    39 ns
    33A
    4V
    60V
    375A
    60V
    260 mJ
    175°C
    2.9 V
    740μm
    9.144mm
    7.112mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C604NLT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 60 V, 0.00093 ohm, 10 V, 2 V
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    -
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    3.9W
    DRAIN
    32.9 ns
    N-Channel
    -
    1.2m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    8900pF @ 25V
    120nC @ 10V
    79.1ns
    ±20V
    81.3 ns
    40A
    2V
    20V
    276A
    60V
    776 mJ
    175°C
    -
    1.1mm
    5.9mm
    4.9mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    yes
    FLAT
    not_compliant
    Single
    900A
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTMFS5C604NLT1G NTMFS5C604NLT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN, 5 Leads ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 60 V, 0.00093 ohm, 10 V, 2 V 对比
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric L8 MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET 对比