您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF7769L2TRPBF vs AUIRF7769L2TR

IRF7769L2TRPBF备选型号: AUIRF7769L2TR

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 终端形式
  • 参考标准
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7769L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    11
    SILICON
    375A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e1
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    锡银铜
    BOTTOM
    260
    30
    R-XBCC-N9
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    44 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 74A, 10V
    4V @ 250μA
    11560pF @ 25V
    300nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    41 ns
    20A
    20V
    395A
    0.0035Ohm
    100V
    500A
    260 mJ
    112 ns
    175°C
    2.7 V
    676μm
    9.144mm
    7.112mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7769L2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    15
    SILICON
    375A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2015
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    -
    BOTTOM
    未说明
    未说明
    R-XBCC-N9
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 74A, 10V
    4V @ 250μA
    11560pF @ 25V
    300nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    375A
    -
    20A
    0.0035Ohm
    -
    500A
    260 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    AEC-Q101
    100V
    2.7V
    100V
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric L8 MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 对比
FDBL0150N80 FDBL0150N80 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerSFN N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 300A, 1.4mO 对比
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric L8 MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET 对比