IRF7807D1PBF备选型号: IRF7403TRPBF
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- 电阻
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- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 正向电流
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 正向电压
- 连续放电电流(ID)
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
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- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- 触点镀层
- 晶体管元件材料
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- 终端形式
- 行间距
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装81-55°C~150°C TJTubeFETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMTEAR9925MOhm30V8.3ASingle增强型MOSFET2.5W3.5AN-Channel25m Ω @ 7A, 4.5V1V @ 250μA17nC @ 5V±12V500mV8.3A1V12V30V30VSchottky Diode (Isolated)1 V3.9878mm4.9784mm1.4986mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--------------
- MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)Surface Mount, Through Hole88.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997活跃1 (Unlimited)--22mOhm30V8.5ASingle增强型MOSFET2.5W-N-Channel22m Ω @ 4A, 10V1V @ 250μA57nC @ 10V±20V-8.5A1V20V30V30V-1 V3.9878mm4.9784mm1.4986mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksTinSILICON8逻辑电平兼容DUAL鸥翼6.3 mm10 ns1200pF @ 25V37ns40 ns6.7A78 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL6372PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO | 对比 |
![]() | DMS3016SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO | 对比 |




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