Infineon Technologies IRL6372PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

17.9MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRL6372PBF

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

5.9 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

8.1A

阈值电压

1.1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

65A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

20 ns

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.1 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅