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首页 全部分类 IRF7807D1PBF vs IRL6372PBF

IRF7807D1PBF备选型号: IRL6372PBF

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  • 终止次数
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF7807D1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    25MOhm
    30V
    8.3A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    3.5A
    N-Channel
    25m Ω @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    17nC @ 5V
    ±12V
    500mV
    8.3A
    1V
    12V
    30V
    30V
    Schottky Diode (Isolated)
    1 V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6372PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    17.9MOhm
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    11nC @ 4.5V
    -
    -
    8.1A
    1.1V
    12V
    30V
    -
    逻辑电平门
    1.1 V
    4mm
    5mm
    1.5mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    8
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2W
    鸥翼
    260
    30
    IRL6372PBF
    不合格
    5.9 ns
    SWITCHING
    1020pF @ 25V
    13ns
    30V
    15 ns
    65A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    20 ns
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