IRF7807TRPBF备选型号: IRF7416GTRPBF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- 终止次数
- 终端
- 电阻
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- 额定电流
- 行间距
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON8.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004不用于新设计1 (Unlimited)8SMD/SMT25MOhm30VDUAL鸥翼13A6.3 mm1Single增强型MOSFET2.5W12 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 7A, 4.5V1V @ 250μA17nC @ 5V17ns±12V6 ns8.3A1V12V30V66A30V150°C1 V1.75mm4.9784mm4.05mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free--------
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-10A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011Obsolete1 (Unlimited)---------Single-2.5W18 nsP-Channel-20mOhm @ 5.6A, 10V1V @ 250μA92nC @ 10V49ns±20V60 ns10A-20V-30V----1.4986mm4.9784mm3.9878mm-无符合RoHS标准-8-SO150°C-55°C1700pF @ 25V30V1.7nF20mOhm20 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7905TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | 对比 |
![]() | IRF7416GTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 对比 |
![]() | STS10DN3LH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | 对比 |




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