STMicroelectronics STS10DN3LH5

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

21MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最大功率耗散

2.5W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS10

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

475pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6nC @ 5V

上升时间

22ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

22V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅