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首页 全部分类 IRF7807VD2TRPBF vs IRF7902TRPBF

IRF7807VD2TRPBF备选型号: IRF7902TRPBF

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  • 端子表面处理
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  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • Infineon Technologies
    IRF7807VD2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    30V
    8.3A
    1.6W
    6.3 ns
    N-Channel
    25mOhm @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    14nC @ 4.5V
    1.2ns
    30V
    ±20V
    2.2 ns
    8.3A
    20V
    30V
    Schottky Diode (Isolated)
    25mOhm
    25 mΩ
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    6.4A 9.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    22.6m Ω @ 6.4A, 10V
    2.25V @ 25μA
    6.9nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    9.7A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    22.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF7902PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    1.4W 2W
    SWITCHING
    580pF @ 15V
    7.3 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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