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首页 全部分类 IRF7807VPBF vs IRF7416GTRPBF

IRF7807VPBF备选型号: IRF7416GTRPBF

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  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRF7807VPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    30V
    DUAL
    鸥翼
    8.3A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    2.5W
    6.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 7A, 4.5V
    3V @ 250μA
    14nC @ 5V
    1.2ns
    ±20V
    2.2 ns
    8.3A
    20V
    0.025Ohm
    30V
    30V
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7416GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    -
    20mOhm @ 5.6A, 10V
    1V @ 250μA
    92nC @ 10V
    49ns
    ±20V
    60 ns
    10A
    20V
    -
    -30V
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    8-SO
    150°C
    -55°C
    Single
    1700pF @ 25V
    30V
    1.7nF
    20mOhm
    20 mΩ
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