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首页 全部分类 IRF7832TRPBF vs IRF8788PBF

IRF7832TRPBF备选型号: IRF8788PBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7832TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    4MOhm
    30V
    DUAL
    鸥翼
    20A
    6.3 mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 20A, 10V
    2.32V @ 250μA
    4310pF @ 15V
    51nC @ 4.5V
    6.7ns
    ±20V
    13 ns
    20A
    2.32V
    20V
    30V
    30V
    260 mJ
    62 ns
    155°C
    2.32 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
  • Infineon Technologies
    IRF8788PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    -
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    2.8MOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±20V
    11 ns
    24A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    230 mJ
    36 ns
    -
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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