IRF7854PBF备选型号: IRF7493TRPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大输出电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO10A Ta-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT13.4MOhm150°C-55°C2.5A2.5W9.4 nsN-Channel13.4mOhm @ 10A, 10V4.9V @ 100μA1620pF @ 25V41nC @ 10V8.5ns80V±20V8.6 ns10A4.9V20V80V80V1.62nF65 ns13.4mOhm13.4 mΩ4.9 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无符合RoHS标准无铅------------
- MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-9.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003活跃1 (Unlimited)SMD/SMT15MOhm---2.5W8.3 nsN-Channel15m Ω @ 5.6A, 10V4V @ 250μA1510pF @ 25V53nC @ 10V7.5ns-±20V12 ns9.3A4V20V80V80V-56 ns--4 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksSILICON8EAR9980VDUAL鸥翼9.3ASingle增强型MOSFETSWITCHING74A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS5672 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672 | 对比 | |
| FDS3572 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS3572 - N CHANNEL MOSFET, 80V, 8.9A, SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7855PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC | 对比 |



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