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IRF7854PBF备选型号: IRF7855PBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    IRF7854PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    13.4MOhm
    150°C
    -55°C
    2.5A
    2.5W
    9.4 ns
    N-Channel
    13.4mOhm @ 10A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1620pF @ 25V
    41nC @ 10V
    8.5ns
    80V
    ±20V
    8.6 ns
    10A
    4.9V
    20V
    80V
    80V
    1.62nF
    65 ns
    13.4mOhm
    13.4 mΩ
    4.9 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7855PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    12A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    9.4MOhm
    -
    -
    -
    97mW
    8.7 ns
    N-Channel
    9.4m Ω @ 12A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1560pF @ 25V
    39nC @ 10V
    13ns
    -
    ±20V
    12 ns
    12A
    4.9V
    20V
    60V
    -
    -
    50 ns
    -
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    14 Weeks
    EAR99
    Single
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