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首页 全部分类 IRF7902TRPBF vs DMN3024LSD-13

IRF7902TRPBF备选型号: DMN3024LSD-13

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  • 场效应管特性
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  • Infineon Technologies
    IRF7902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6.4A 9.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    22.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF7902PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    1.4W 2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22.6m Ω @ 6.4A, 10V
    2.25V @ 25μA
    580pF @ 15V
    6.9nC @ 4.5V
    9.7A
    20V
    30V
    7.3 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3024LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6.8A
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    -
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    1.8W
    鸥翼
    DMN3024LSD
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    24m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    12.9nC @ 10V
    7.2A
    20V
    30V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    73.992255mg
    yes
    260
    40
    8
    2.9 ns
    3.3ns
    8 ns
    5.7A
    无SVHC
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