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首页 全部分类 IRF8113GPBF vs IRF8721TRPBF

IRF8113GPBF备选型号: IRF8721TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF8113GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    17.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    5.6mOhm @ 17.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    8.9ns
    30V
    ±20V
    3.5 ns
    17.2A
    20V
    30V
    2.91nF
    7.4mOhm
    5.6 mΩ
    2.2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8721TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5W
    8.2 ns
    N-Channel
    8.5m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1040pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    11ns
    -
    ±20V
    7 ns
    14A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    2.35 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    8.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无铅
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