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IRF8313TRPBF备选型号: IRF8513PBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRF8313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    15.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF8313PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    8.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9nC @ 4.5V
    9.9ns
    30V
    4.2 ns
    9.7A
    1.8V
    20V
    30V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8513PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    8A 11A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2008
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    15.5MOhm
    -
    2.4W
    -
    IRF8513PBF
    Dual
    -
    2.4W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    15.5mOhm @ 8A, 10V
    2.35V @ 25μA
    766pF @ 15V
    8.6nC @ 4.5V
    -
    30V
    -
    8A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SO
    SMD/SMT
    175°C
    -55°C
    1.5W 2.4W
    30V
    766pF
    23 ns
    22.2mOhm
    15.5 mΩ
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