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首页 全部分类 IRF840PBF vs FCPF380N60E

IRF840PBF备选型号: FCPF380N60E

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  • 漏源电阻
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  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 已出版
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  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF840PBF
    Infineon Technologies
    PLANAR >= 100V
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    500V
    8A
    125W
    N-Channel
    850mOhm @ 4.8A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    63nC @ 10V
    500V
    ±20V
    8A
    20V
    500V
    850mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF380N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF380N60E MOSFET, N-CH, 600V, 10.2A, TO-220F
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    10.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    106W
    N-Channel
    380m Ω @ 5A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1770pF @ 25V
    45nC @ 10V
    -
    ±20V
    10.2A
    20V
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    3
    2.27g
    2012
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    17 ns
    9ns
    10 ns
    9.19mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    无
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