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IRF840PBF备选型号: IPP50R350CPXKSA1
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
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- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
PLANAR >= 100V通孔TO-220-3TO-220AB8A Tc-55°C~150°C TJBulkHEXFET®不用于新设计1 (Unlimited)500V8A125WN-Channel850mOhm @ 4.8A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V63nC @ 10V500V±20V8A20V500V850mOhmROHS3 Compliant无铅-------------------------
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3通孔TO-220-3-89W Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™最后一次购买1 (Unlimited)---N-Channel350m Ω @ 5.6A, 10V3.5V @ 370μA1020pF @ 100V25nC @ 10V550V±20V----ROHS3 Compliant-12 WeeksNOSILICON2008e3yes3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDSWITCHINGTO-220AB10A0.35Ohm22A500V246 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3 | 对比 |
 | FCP380N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |
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