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IRF8734PBF备选型号: IRF8788PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF8734PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3175pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    16ns
    ±20V
    8 ns
    21A
    20V
    0.0035Ohm
    30V
    30 ns
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8788PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±20V
    11 ns
    24A
    20V
    -
    30V
    36 ns
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SMD/SMT
    2.8MOhm
    1.8V
    30V
    230 mJ
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IRF8788PBF IRF8788PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO 对比