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首页 全部分类 IRF8788PBF vs FDS8813NZ

IRF8788PBF备选型号: FDS8813NZ

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 双电源电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Infineon Technologies
    IRF8788PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    2.8MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±20V
    11 ns
    24A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    230 mJ
    36 ns
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8813NZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    4.5MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 18.5A, 10V
    3V @ 250μA
    4145pF @ 15V
    76nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    7 ns
    18.5A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    -
    -
    1.8 V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    130mg
    e3
    yes
    TIN
    260
    30
    520 pF
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