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首页 全部分类 IRF8788PBF vs IRF8736TRPBF

IRF8788PBF备选型号: IRF8736TRPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • Infineon Technologies
    IRF8788PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    2.8MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±20V
    11 ns
    24A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    230 mJ
    36 ns
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8736TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    4.8MOhm
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 18A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2315pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    7.5 ns
    18A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
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