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首页 全部分类 IRF8910GTRPBF vs IRF8910TRPBF

IRF8910GTRPBF备选型号: IRF8910TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF8910GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    鸥翼
    IRF8910GPBF
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    6.2 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    13.4m Ω @ 10A, 10V
    2.55V @ 250μA
    960pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    10ns
    4.1 ns
    10A
    MS-012AA
    20V
    0.0134Ohm
    20V
    19 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    2W
    -
    IRF8910PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    6.2 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    13.4m Ω @ 10A, 10V
    2.55V @ 250μA
    960pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    10ns
    4.1 ns
    10A
    -
    20V
    -
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SMD/SMT
    13.4MOhm
    20V
    10A
    2.55V
    20V
    2.55 V
    无SVHC
    无铅
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