Infineon Technologies IRF8910GTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

9.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

基本部件号

IRF8910GPBF

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6.2 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.4m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.55V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

960pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

10ns

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

10A

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0134Ohm

漏源击穿电压

20V

雪崩能量等级（Eas）

19 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准