Infineon Technologies IRF9910PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A 12A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

10A

基本部件号

IRF9910PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.4m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.55V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

14ns

下降时间（典型值）

7.5 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

2.55V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0093Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2.55 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅