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首页 全部分类 IRF8910TRPBF vs FDS6911

IRF8910TRPBF备选型号: FDS6911

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  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRF8910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    13.4MOhm
    20V
    2W
    10A
    IRF8910PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    6.2 ns
    2 N-Channel (Dual)
    13.4m Ω @ 10A, 10V
    2.55V @ 250μA
    960pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    10ns
    4.1 ns
    10A
    2.55V
    20V
    20V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.55 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6911
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    20V
    900mW
    7.5A
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.6W
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    13m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1130pF @ 15V
    24nC @ 10V
    5ns
    5 ns
    7.5A
    -
    20V
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    187mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    Tin (Sn)
    鸥翼
    SWITCHING
    0.013Ohm
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