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IRF9358TRPBF备选型号: IRF9358PBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF9358TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF9358PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    16.3m Ω @ 9.2A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1740pF @ 25V
    38nC @ 10V
    7.2ns
    30V
    69 ns
    9.2A
    -1.8V
    MS-012AA
    20V
    0.0163Ohm
    -30V
    73A
    210 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9358PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF9358PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    16.3m Ω @ 9.2A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1740pF @ 25V
    38nC @ 10V
    7.2ns
    30V
    69 ns
    9.2A
    -
    -
    20V
    -
    -30V
    73A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16.3MOhm
    83 ns
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