Infineon Technologies IRF9358PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

146 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

16.3MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

基本部件号

IRF9358PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16.3m Ω @ 9.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1740pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

7.2ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

69 ns

连续放电电流(ID)

9.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

73A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

83 ns

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-1.8 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅