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首页 全部分类 IRF9383MTRPBF vs FDS6699S

IRF9383MTRPBF备选型号: FDS6699S

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  • 场效应管类型
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  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF9383MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    22A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    29 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    2.9m Ω @ 22A, 10V
    2.4V @ 150μA
    7305pF @ 15V
    130nC @ 10V
    160ns
    30V
    ±20V
    110 ns
    22A
    20V
    0.0029Ohm
    -30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6699S
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5mW
    -
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 21A, 10V
    3V @ 1mA
    3610pF @ 15V
    91nC @ 10V
    12ns
    -
    ±20V
    38 ns
    21A
    20V
    -
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    130mg
    yes
    SMD/SMT
    3.6MOhm
    30V
    鸥翼
    21A
    Single
    1.4V
    30V
    1.4 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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