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首页 全部分类 IRF9383MTRPBF vs IRF8788PBF

IRF9383MTRPBF备选型号: IRF8788PBF

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF9383MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    22A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    29 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    2.9m Ω @ 22A, 10V
    2.4V @ 150μA
    7305pF @ 15V
    130nC @ 10V
    160ns
    30V
    ±20V
    110 ns
    22A
    20V
    0.0029Ohm
    -30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8788PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    -
    ±20V
    11 ns
    24A
    20V
    -
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SMD/SMT
    2.8MOhm
    鸥翼
    Single
    1.8V
    30V
    230 mJ
    36 ns
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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