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首页 全部分类 IRF9389TRPBF vs FDS6930B

IRF9389TRPBF备选型号: FDS6930B

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  • 功率 - 最大
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  • Infineon Technologies
    IRF9389TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6.8A 4.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    鸥翼
    IRF9389
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 6.8A, 10V
    2.3V @ 10μA
    398pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    4.6A
    1.8V
    20V
    30V
    34A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6930B
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    38m Ω @ 5.5A, 10V
    3V @ 250μA
    412pF @ 15V
    3.8nC @ 5V
    6ns
    -
    2 ns
    5.5A
    1.9V
    20V
    30V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    e3
    yes
    38MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    未说明
    5.5A
    未说明
    不合格
    30V
    55A
    6 ns
    900mW
    1.9 V
    60 pF
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