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IRF9540NLPBF备选型号: FDI150N10
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- JESD-30代码
MOSFET P-CH 100V 23A TO262-312 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON23A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2005e3活跃1 (Unlimited)3通孔EAR99117mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY260301Single增强型MOSFET3.1WDRAIN13 nsP-ChannelSWITCHING117m Ω @ 14A, 10V4V @ 250μA1450pF @ 25V110nC @ 10V67ns±20V51 ns-23A4V20V-100V92A100V84 mJ4 V9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench9 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-SILICON57A Tc-55°C~150°C TJTubePowerTrench®2013-活跃1 (Unlimited)3-EAR99------Single增强型MOSFET110W-47 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 49A, 10V4.5V @ 250μA4760pF @ 25V69nC @ 10V164ns±20V83 ns57A-20V100V228A-------无ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)2.084gyesR-PSIP-T3- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDI150N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | 对比 |
| IRFSL4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 61A TO262 | 对比 |
| IRF540ZLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 | 对比 |
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