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首页 全部分类 IRF9910PBF vs IRF8915TRPBF

IRF9910PBF备选型号: IRF8915TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • Infineon Technologies
    IRF9910PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10A 12A
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20V
    2W
    鸥翼
    10A
    IRF9910PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    13.4m Ω @ 10A, 10V
    2.55V @ 250μA
    900pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    14ns
    7.5 ns
    12A
    2.55V
    20V
    0.0093Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.55 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8915TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    20V
    2W
    -
    8.9A
    IRF8915PBF
    Dual
    -
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    -
    18.3m Ω @ 8.9A, 10V
    2.5V @ 250μA
    540pF @ 10V
    7.4nC @ 4.5V
    12ns
    3.6 ns
    8.9A
    2.5V
    20V
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    18.3MOhm
    6 ns
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IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 对比