IRF9956TRPBF备选型号: IRF7205TRPBF

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  • 接通延迟时间
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    20V
    2W
    鸥翼
    3.5A
    IRF9956PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    6.2 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    14nC @ 10V
    8.8ns
    3 ns
    3.5A
    20V
    0.1Ohm
    30V
    16A
    44 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    20 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    逻辑电平兼容
    -30V
    -
    鸥翼
    -5.3A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 4.6A, 10V
    3V @ 250μA
    870pF @ 10V
    40nC @ 10V
    21ns
    71 ns
    -4.6A
    20V
    -
    -30V
    -
    -
    -
    -
    -3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    EAR99
    70mOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    30V
    ±20V
    -3V
    -30V
    100 ns
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