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首页 全部分类 IRFB11N50APBF vs FDP12N50NZ

IRFB11N50APBF备选型号: FDP12N50NZ

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  • 底架
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFB11N50APBF
    Infineon Technologies
    PLANAR >= 100V
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    500V
    11A
    170W
    N-Channel
    520mOhm @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    1423pF @ 25V
    52nC @ 10V
    500V
    ±30V
    11A
    500V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N50NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
    通孔
    TO-220-3
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    170W
    N-Channel
    520m Ω @ 5.75A, 10V
    5V @ 250μA
    1235pF @ 25V
    30nC @ 10V
    -
    ±25V
    11.5A
    500V
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    Tin
    3
    1.8g
    SILICON
    2013
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    20 ns
    SWITCHING
    50ns
    45 ns
    TO-220AB
    25V
    0.52Ohm
    46A
    560 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
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FDP12N50NZ FDP12N50NZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II 对比