Infineon Technologies IRFB11N50APBF

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

170W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

HEXFET®

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

500V

额定电流

11A

功率耗散

170W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1423pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

11A

漏源击穿电压

500V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅