IRFB11N50APBF备选型号: FQP13N50
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- 安装类型
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- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- PLANAR >= 100V通孔TO-220-3TO-220AB11A Tc-55°C~150°C TJBulkHEXFET®不用于新设计1 (Unlimited)500V11A170WN-Channel520mOhm @ 6.6A, 10V4V @ 250μA1423pF @ 25V52nC @ 10V500V±30V11A500VROHS3 Compliant无铅------------------------------
- Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail通孔TO-220-3-12.5A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®活跃1 (Unlimited)500V12.5A170WN-Channel430m Ω @ 6.25A, 10V5V @ 250μA2300pF @ 25V60nC @ 10V-±30V12.5A500VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)5 Weeks通孔31.8gSILICON2013e3yes3EAR99430mOhmTin (Sn)Single增强型MOSFET40 nsSWITCHING140ns85 ns5VTO-220AB30V50A500V5 V6.35mm6.35mm6.35mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP12N50NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II | 对比 |


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