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首页 全部分类 IRFB41N15DPBF vs IRFB33N15DPBF

IRFB41N15DPBF备选型号: IRFB33N15DPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • Infineon Technologies
    IRFB41N15DPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 150V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 41A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-30V
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    150V
    41A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 25A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2520pF @ 25V
    110nC @ 10V
    63ns
    ±30V
    14 ns
    41A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    0.045Ohm
    150V
    150V
    470 mJ
    260 ns
    5.5 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB33N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    23 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2000
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    -
    150V
    33A
    Single
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    56m Ω @ 20A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2020pF @ 25V
    90nC @ 10V
    38ns
    ±30V
    21 ns
    33A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    -
    150V
    150V
    -
    -
    5.5 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    56Ohm
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