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IRFB4227PBF备选型号: IRFB4229PBF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON65A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2004活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9924MOhm1Single增强型MOSFET330WDRAIN33 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 46A, 10V5V @ 250μA4600pF @ 25V98nC @ 10V20ns±30V31 ns65A5VTO-220AB30V200V260A200V150 ns175°C5 V19.8mm10.6426mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅- MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON46A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2007活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9946MOhm-Single增强型MOSFET330mWDRAIN-N-ChannelSWITCHING46m Ω @ 26A, 10V5V @ 250μA4560pF @ 25V110nC @ 10V31ns±30V21 ns46A5VTO-220AB30V250V-250V290 ns-5 V16.51mm10.6426mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDP61N20 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220; UniFET™ | 对比 |
| IRFB4127PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF | 对比 |
| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB | 对比 |
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