您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFB4229PBF vs IRFB42N20DPBF

IRFB4229PBF备选型号: IRFB42N20DPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRFB4229PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    46A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    46MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    330mW
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    31ns
    ±30V
    21 ns
    46A
    5V
    TO-220AB
    30V
    250V
    250V
    290 ns
    5 V
    16.51mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB42N20DPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 200 V 0.055 Ohm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    55Ohm
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 26A, 10V
    5.5V @ 250μA
    3430pF @ 25V
    140nC @ 10V
    69ns
    ±30V
    32 ns
    44A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    200V
    330 ns
    5.5 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    200V
    42A
    18 ns
    42.6A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDP51N25 FDP51N25 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 对比
FDP52N20 FDP52N20 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 52A TO-220 对比
IRFB42N20DPBF IRFB42N20DPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Single N-Channel 200 V 0.055 Ohm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 对比