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IRFB52N15DPBF备选型号: FQP45N15V2
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
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- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
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- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电压
- 电流
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON51A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2002活跃1 (Unlimited)3EAR9932Ohm150V51ASingle增强型MOSFET320WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING32m Ω @ 36A, 10V5V @ 250μA2770pF @ 25V89nC @ 10V47ns±30V25 ns60A5VTO-220AB30V150V240A150V470 mJ210 ns5 V16.51mm10.66mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 150V 45A TO-2205 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON45A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®2013活跃1 (Unlimited)3EAR9940mOhm150V45ASingle增强型MOSFET220W-22 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 22.5A, 10V4V @ 250μA3030pF @ 25V94nC @ 10V232ns±30V246 ns45A4VTO-220AB30V150V-150V--4 V9.4mm10.1mm4.7mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)e3yes通孔Tin (Sn)未说明未说明不合格150V45A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB41N15DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet, Power; N-ch; Vdss 150V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 41A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-30V | 对比 |
| FQP46N15 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220 | 对比 |
| FQP45N15V2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 45A TO-220 | 对比 |
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