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首页 全部分类 IRFB52N15DPBF vs IRFB41N15DPBF

IRFB52N15DPBF备选型号: IRFB41N15DPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 终端
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRFB52N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    51A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    32Ohm
    150V
    51A
    Single
    增强型MOSFET
    320W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 36A, 10V
    5V @ 250μA
    2770pF @ 25V
    89nC @ 10V
    47ns
    ±30V
    25 ns
    60A
    5V
    TO-220AB
    30V
    150V
    240A
    150V
    470 mJ
    210 ns
    5 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB41N15DPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 150V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 41A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-30V
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    150V
    41A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 25A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2520pF @ 25V
    110nC @ 10V
    63ns
    ±30V
    14 ns
    41A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    150V
    -
    150V
    470 mJ
    260 ns
    5.5 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    e3
    通孔
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    0.045Ohm
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